G.SKILL F3-12800CL11S-4GBSQ 4GB (1 x 4GB) DDR3 1600 MHz, CL11 Memory
Производитель: G.SKILL
ID: F3-12800CL11S-4GBSQ
2590€
Показать НДС 0%
Показать НДС 25,5%
Multitronic Vaasa
Multitronic Pietarsaari
Multitronic Jyväskylä
Multitronic Lappeenranta
Multitronic Mariehamn
Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.
Характеристики
Описание
Наличие в магазинах
Доставка
Динамика цен
| Память | |
| экстремальный профиль памяти Intel |  |
| Вес и размеры | |
| Высота | 30 mm |
| Ширина | 67.6 mm |
| Прочие свойства | |
| Количество контактов | 204 |
| Свойства | |
| Тип внутренней памяти | DDR3 |
| Error-correcting code (ECC) | |
| Время задержки CAS | 11 |
| Тактовая частота памяти | 1066 MHz |
| Напряжение памяти | 1,5 V |
| Форм-фактор памяти | 204-pin SO-DIMM |
| Каналы памяти | Single-channel |
| Комплектующие для | Ноутбук |
| Оперативная память | 4 GB |
| Конфигурация памяти (модули х емкость) | 1 x 4 GB |
| Тип буферной памяти | Unregistered (unbuffered) |
| Логистические данные | |
| Код гармонизированной системы описания (HS) | 84733020 |
| EAN | 4711148597715 |
| Гарантия | 1 год |
Модуль памяти G.Skill F3-12800CL11S-4GBSQ представляет собой решение для модернизации ноутбуков, совместимых со стандартом DDR3. Его объем составляет 4 ГБ, что позволяет увеличить системные ресурсы для более эффективной работы с несколькими приложениями одновременно. Модуль функционирует на частоте 1600 МГц с таймингами CL11, обеспечивая сбалансированную производительность для стандартных вычислительных задач.
Данный модуль выполнен в форм-факторе SO-DIMM с 204 контактами и предназначен для установки в соответствующие слоты на материнских платах портативных компьютеров. Он работает при стандартном для DDR3 напряжении 1.5 В и является небуферизированной памятью без поддержки технологии коррекции ошибок (non-ECC). Конфигурация с одним модулем обеспечивает гибкость при обновлении систем с ограниченным количеством слотов памяти или для точечного увеличения ее объема.
Ключевые особенности:- Тип памяти DDR3
- Объем одного модуля 4 ГБ
- Форм-фактор SO-DIMM для ноутбуков
- Тактовая частота 1600 МГц
- Латентность CAS CL11
- Рабочее напряжение 1.5 В
- Конфигурация 1 модуль по 4 ГБ
- Количество контактов 204
- Отсутствие поддержки ECC
Multitronic Vaasa: 0 шт
Срок доставки: 10.12 - 12.12
Срок доставки: 10.12 - 12.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Multitronic Pietarsaari: 0 шт
Срок доставки: 10.12 - 12.12
Срок доставки: 10.12 - 12.12
Сегодня: 09:00 - 17:00
Multitronic Jyväskylä: 0 шт
Срок доставки: 10.12 - 12.12
Срок доставки: 10.12 - 12.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Multitronic Lappeenranta: 0 шт
Срок доставки: 10.12 - 12.12
Срок доставки: 10.12 - 12.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Multitronic Mariehamn: 0 шт
Срок доставки: 10.12 - 12.12
Срок доставки: 10.12 - 12.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Самовывоз из магазина
Время доставки: 10.12 - 12.12
Время доставки: 10.12 - 12.12
Matkahuolto: Постоматы и пункты самовывоза
Время доставки: 11.12 - 12.12
Время доставки: 11.12 - 12.12
Posti: Постоматы и пункты самовывоза
Время доставки: 10.12 - 11.12
Время доставки: 10.12 - 11.12
Posti: Почтовое отправление
Время доставки: 11.12 - 12.12
Время доставки: 11.12 - 12.12
Posti: Доставка до двери
Время доставки: 11.12
Время доставки: 11.12
Matkahuolto: Для бизнеса
Время доставки: 10.12 - 12.12
Время доставки: 10.12 - 12.12
Matkahuolto: Доставка на дом
Время доставки: 10.12 - 12.12
Время доставки: 10.12 - 12.12
Posti: Доставка домой
Время доставки: 11.12
Время доставки: 11.12
The above technical details are for reference only and may change without notice. We reserve the right to correct printing errors and use illustrations for guidance. Some text may be auto-generated or machine-translated, which could lead to inaccuracies.