Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| Тип устройства | Твердотельный накопитель (SSD) |
| Вес и размеры | |
| Вес | 10 g |
| Высота | 22 mm |
| Ширина | 22 mm |
| Глубина | 80 mm |
| Энергопитание | |
| Рабочее напряжение | 3,3 V |
| Потребление мощности (холостой ход) | 0.04 W |
| Потребление мощности (чтение) | 0,1 W |
| Потребление мощности (запись) | 0,1 W |
| Среднее потребление энергии | 0,1 W |
| Внешние условия | |
| Диапазон рабочих температур | 0 - 70 °C |
| Ударная нагрузка в рабочем режиме | 1000 G |
| Ударная нагрузка в нерабочем режиме | 1000 G |
| Максимальная температура при эксплуатации | 70 °C |
| Вибрация в нерабочем режиме | 3,13 G |
| Вибрация в рабочем режиме | 2,17 G |
| Ударная нагрузка в рабочем/нерабочем режиме | 1000 G |
| Особенности | |
| Технология Intel® Rapid Start | ![]() |
| Технология Intel® Smart Response | ![]() |
| Intel High Endurance Technology (HET) | ![]() |
| Удаленное безопасное стирание Intel® | ![]() |
| Прочие свойства | |
| Тип внутренней памяти | PCIe 3.0 x4, NVMe |
| Цвет товара | Черный |
| Потребляемая мощность (активный режим) | 0,1 W |
| Семейство процессоров | Intel SSD 660p |
| Тип охлаждения | Пассивный |
| Скорость последовательной записи | 1800 MB/s |
| Последовательное чтение | 1800 MB/s |
| Статус | Launched |
| Потребление питания SSD (неактивный) | 0.040W |
| гарантированный объем записи данных SSD | 200 TBW |
| Дата запуска | Q3'18 |
| ударостойкость SSD | 1000 G |
| случайное чтение (охват 8 ГБ) | 150000 IOPS |
| случайная запись (охват 8 ГБ) | 220000 IOPS |
| Серия продукта | Intel® SSD 660p Series |
| Кодовое название продукта | Neptune Harbor |
| Характеристики | |
| 512 GB | |
| Свойства | |
| 1,02 TB | |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 |
| Алгоритмы шифрования данных | 256-bit AES |
| Среднее время наработки на отказ | 1600000 h |
| Тип памяти | 3D2 QLC |
| Скорость передачи данных | 8 Gbit/s |
| Error-correcting code (ECC) | ![]() |
| Скорость считывания | 1800 MB/s |
| Скорость записи | 1800 MB/s |
| Поддержка Hot-Plug | ![]() |
| Поддержка S.M.A.R.T. | ![]() |
| Поддержка TRIM | ![]() |
| Комплектующие для | Сервер/раб. станция |
| Частота Появления Некорректируемых Ошибок по Битам | < 1 per 10^15 bits read |
| Литография | 19 nm |
| Улучшенная технология Защиты Данных при Потере Питания | ![]() |
| Случайная запись (100% диапазона) | 220000 IOPS |
| Случайное чтение (100% диапазона) | 150000 IOPS |
| аппаратное шифрование | ![]() |
| Температура мониторинга SSD | ![]() |
| линии данных интерфейса PCI Express | x4 |
| защита данных End-to-End | ![]() |
| оценка суммарного числа записываемых байтов | 200 |
| форм-фактор тевродотельного диска | M.2 |
| Сегмент рынка | Мобильный |
| SSD ARK ID | 149407 |
| NVMe | ![]() |
| Последовательная скорость чтения (ATTO) | 1800 MB/s |
| Последовательная скорость записи (ATTO) | 1800 MB/s |
| Поддержка DevSlp (device sleep) | ![]() |
| Температурный мониторинг и журналирование | ![]() |
| Логистические данные | |
| Код гармонизированной системы описания (HS) | 84717070 |
| Export Control Classification Number (ECCN) | 5A992C |
| Система автоматизированного отслеживания товарной номенклатуры (CCATS) | G158436 |
| EAN | 5032037131605 |
| Гарантия | 1 год |
Твердотельный накопитель Intel SSD 660p объемом 1 ТБ выполнен в компактном форм-факторе M.2 2280 и использует скоростной интерфейс NVMe на базе PCI Express 3.0 x4. Данный накопитель разработан для систем, требующих значительного ускорения загрузки и обработки данных, и подходит для потребительских и профессиональных рабочих сред. В основе накопителя лежит технология 3D QLC NAND, что позволяет достигать высокой плотности хранения при сохранении конкурентоспособной стоимости.
Производительность устройства характеризуется последовательными скоростями чтения и записи до 1800 МБ/с. Это обеспечивает эффективную работу с крупными файлами и быструю обработку задач. Накопитель оснащен функцией аппаратного шифрования AES 256-bit для обеспечения безопасности хранимой информации. Заявленное время наработки на отказ (MTBF) составляет 1,6 миллиона часов, что соответствует стандартам надежности для данного класса устройств.
Ключевые особенности:- Емкость 1000 ГБ
- Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4
- Форм-фактор M.2 2280
- Тип флэш-памяти 3D QLC NAND
- Скорость последовательного чтения до 1800 МБ/с
- Скорость случайного чтения до 150 000 IOPS
- Скорость случайной записи до 220 000 IOPS
- Ресурс записи 200 TBW
- Аппаратное шифрование AES 256-bit
- Ударопрочность при эксплуатации 1000 G
Срок доставки: 20.12 - 26.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 20.12 - 26.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 20.12 - 26.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 20.12 - 26.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 20.12 - 26.12
Сегодня: Закрыт
Время доставки: 20.12 - 26.12
Время доставки: 21.12 - 26.12
Время доставки: 20.12 - 25.12
Время доставки: 21.12 - 26.12
Время доставки: 21.12 - 25.12
Время доставки: 20.12 - 26.12
Время доставки: 20.12 - 26.12
Время доставки: 21.12 - 25.12
- leaflet (English)


