logo Multitronic Oy
Korsholmanpuistikko 38
65100 Vaasa
Сайт: www.multitronic.fi
Телефон: 06 - 319 77 00
E-mail: info@multitronic.fi

UD PRO SSD 512GB 530MB/S read, 500 MB/s Write

GIGABYTE
GP-GSTFS30512GTTD
80,90 € Показать НДС 0% Показать НДС 24%
Онлайн: 4 шт доступно Время доставки: 1-4 рабочих дня
Характеристики
Описание
Наличие / Доставка
Динамика цен
Технические характеристики
Тип устройстваТвердотельный накопитель (SSD)
Вес и размеры
Высота7 мм
Ширина69,8 мм
Глубина100 мм
Энергопитание
Потребление мощности (холостой ход)0,17 Вт
Потребление мощности (чтение)2,24 Вт
Потребление мощности (запись)2,61 Вт
Внешние условия
Диапазон температур при хранении-40 - 85 °C
Диапазон рабочих температур0 - 70 °C
Данные об упаковке
Тип упаковкиКоробочная версия
Прочие свойства
Цвет товараЧерный
Свойства
512 ГБ
ИнтерфейсSerial ATA III
Среднее время наработки на отказ1800000 ч
Тип памяти3D TLC
Скорость передачи данных6 Гбит/с
Скорость считывания530 МБ/с
Скорость записи500 МБ/с
Тип контроллераToshiba BiCS3
Поддержка S.M.A.R.T.checkmark
Поддерживаемые операционные системы Windowscheckmark
Поддерживаемые операционные системы Maccheckmark
Поддерживаемые операционные системы Linuxcheckmark
Поддержка TRIMcheckmark
Комплектующие дляПК/ноутбук
Случайная запись (100% диапазона)75000 IOPS
Случайное чтение (100% диапазона)80000 IOPS
оценка суммарного числа записываемых байтов200
форм-фактор тевродотельного диска2.5"
NVMecross
EAN4719331803476
Source: Icecat.biz

Industry Leading 3D NAND Flash
GIGABYTE UD PRO series SSDs adopt 3D TLC NAND flash, which has higher bit capacity, R/W speed performance, endurance and reliability compared to 2D TLC flash. Moreover, with an optimized controller and firmware, GIGABYTE UD PRO series SSDs provide excellent performance for a smooth PC experience.

External DDR3L SDRAM Cache
The UD PRO SSD is equipped with high speed DDR3L SDRAM cache and does not need to reserve over-provisioning space, thus improving the random Read/Write performance. This means the users can use the full capacity of the drive. Moreover, external DRAM can be a buffer between controller and NAND flash for sustained performance when capacity is occupied by more and more data.