Kingston ValueRAM SODIMM 8GB (1 x 8GB) DDR4 2666 MHz, CL19 Memory
Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| RoHS | |
| Память | |
| Оперативная память | 8 GB |
| экстремальный профиль памяти Intel | ![]() |
| Вес и размеры | |
| Вес | 50 g |
| Высота | 30 mm |
| Ширина | 69,6 mm |
| Глубина | 5 mm |
| Внешние условия | |
| Диапазон температуры хранения | -55 - 100 °C |
| Диапазон рабочих температур | 0 - 85 °C |
| Прочие свойства | |
| Количество контактов | 260 |
| Свойства | |
| Тип внутренней памяти | DDR4 |
| Error-correcting code (ECC) | ![]() |
| Время задержки CAS | 19 |
| Тактовая частота памяти | 2666 MHz |
| Время цикла строки | 45,75 ns |
| Время цикла обновления строки | 350 ns |
| Активное время строки | 32 ns |
| Подсветка | ![]() |
| Напряжение памяти | 1.2 V |
| Cоответствие RoHS | ![]() |
| SPD профиль | ![]() |
| Форм-фактор памяти | 260-pin SO-DIMM |
| Рейтинг памяти | 1 |
| Комплектующие для | ПК/сервер |
| Оперативная память | 8 GB |
| Конфигурация памяти (модули х емкость) | 1 x 8 GB |
| Стандарт JEDEC | ![]() |
| Скорость передачи данных памяти | 2666 MT/s |
| Тип буферной памяти | Unregistered (unbuffered) |
| Логистические данные | |
| Код гармонизированной системы описания (HS) | 84733020 |
| Не содержит | Галоген |
| EAN | 0740617311341 |
| Гарантия | 1 год |
Модуль памяти Kingston ValueRAM KVR26S19S6/8 представляет собой стандартное решение для модернизации ноутбуков и других компактных систем. Он разработан в полном соответствии со спецификациями JEDEC, что обеспечивает его надежность и совместимость с платформами Intel и AMD, поддерживающими память DDR4 SO-DIMM. Общий объем 8 ГБ достаточен для улучшения отклика системы и повышения эффективности в многозадачном режиме. Модуль функционирует на скорости 2666 МТ/с, предоставляя стандартный уровень производительности для офисных приложений и повседневного использования.
Этот модуль выполнен в форм-факторе SO-DIMM и оснащен 260 контактами для установки в соответствующие слоты. Он работает при напряжении 1.2 В, что является стандартом для памяти DDR4 и способствует снижению энергопотребления в портативных устройствах. Латентность CAS составляет CL19. Как небуферизованный (Unbuffered) модуль без поддержки коррекции ошибок (Non-ECC), он ориентирован на использование в стандартных потребительских ноутбуках и неттопах. Продукт соответствует директиве RoHS, что подтверждает использование безопасных материалов при его производстве.
Ключевые особенности:- Объем памяти: 8 ГБ
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: SO-DIMM
- Скорость передачи данных: 2666 МТ/с
- Латентность CAS: CL19
- Напряжение: 1.2 В
- Конфигурация модуля: 1 x 8 ГБ
- Тип буферизации: Unbuffered (небуферизованная)
- Поддержка ECC: Нет (Non-ECC)
- Количество контактов: 260
Срок доставки: Нет информации о доставке
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: Нет информации о доставке
Сегодня: 09:00 - 17:00
Срок доставки: Нет информации о доставке
Сегодня: 10:00 - 17:00
Срок доставки: Нет информации о доставке
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: Нет информации о доставке
Сегодня: 10:00 - 17:00
Время доставки: Нет информации о доставке
Время доставки: Нет информации о доставке
Время доставки: Нет информации о доставке
Время доставки: Нет информации о доставке
Время доставки: Нет информации о доставке
Время доставки: Нет информации о доставке
Время доставки: Нет информации о доставке
Время доставки: Нет информации о доставке
- leaflet (English)


