Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| RoHS | |
| Память | |
| Оперативная память | 8 GB |
| экстремальный профиль памяти Intel | ![]() |
| Внешние условия | |
| Диапазон рабочих температур | 0 - 85 °C |
| Прочие свойства | |
| Количество контактов | 260 |
| Свойства | |
| Тип внутренней памяти | DDR4 |
| Error-correcting code (ECC) | ![]() |
| Время задержки CAS | 22 |
| Тактовая частота памяти | 3200 MHz |
| Подсветка | ![]() |
| Напряжение памяти | 1.2 V |
| Тип охлаждения | Пассивный |
| Cоответствие RoHS | ![]() |
| Форм-фактор памяти | 260-pin SO-DIMM |
| Рейтинг памяти | 1 |
| Комплектующие для | Ноутбук |
| Оперативная память | 16 GB |
| Конфигурация памяти (модули х емкость) | 1 x 8 GB |
| Скорость передачи данных памяти | 3200 MT/s |
| Тип буферной памяти | Unregistered (unbuffered) |
| Логистические данные | |
| Код гармонизированной системы описания (HS) | 84733020 |
| EAN | 0760557849162 |
| Гарантия | 1 год |
Модуль оперативной памяти Transcend JetRam JM3200HSG-8G представляет собой решение для модернизации ноутбуков и систем малого форм-фактора. Его объем составляет 8 ГБ, что подходит для повышения производительности при выполнении повседневных задач и работы с несколькими приложениями одновременно. В основе модуля лежат микросхемы DRAM класса ETT, прошедшие строгий процесс отбора и тестирования для обеспечения совместимости и надежности. Рабочая частота 3200 МТ/с обеспечивает достаточную пропускную способность для современных систем, предлагая сбалансированное соотношение производительности и стоимости.
Данный модуль выполнен в стандартном форм-факторе SO-DIMM с 260 контактами и соответствует спецификациям JEDEC для памяти типа DDR4. Он функционирует при пониженном напряжении 1.2 В, что способствует снижению энергопотребления и тепловыделения системы, что особенно важно для портативных устройств. Показатель CAS Latency (CL) составляет 22, что является стандартным значением для этой тактовой частоты. Модуль не имеет буферизации и не поддерживает технологию коррекции ошибок (ECC), что типично для комплектующих потребительского класса.
Ключевые особенности:- Объем памяти 8 ГБ
- Тип памяти DDR4
- Форм-фактор SO-DIMM
- Тактовая частота 3200 МГц
- Задержка CAS CL22
- Напряжение питания 1.2 В
- Конфигурация один модуль на 8 ГБ
- Ранговость Single rank (1Rx16)
- Поддержка ECC отсутствует
Срок доставки: 15.12
Сегодня: Закрыт (День независимости)
Срок доставки: 15.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 15.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 15.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 15.12
Сегодня: Закрыт (День независимости)
Время доставки: 15.12
Время доставки: 16.12
Время доставки: 15.12
Время доставки: 16.12
Время доставки: 16.12
Время доставки: 15.12
Время доставки: 15.12
Время доставки: 16.12
- leaflet (English)


