Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| Тип устройства | Твердотельный накопитель (SSD) |
| Вес и размеры | |
| Вес | 9 g |
| Высота | 22 mm |
| Ширина | 80 mm |
| Глубина | 2,3 mm |
| Энергопитание | |
| Рабочее напряжение | 3.3 V |
| Потребление мощности (холостой ход) | 0,05 W |
| Максимальное потребление энергии | 7,8 W |
| Среднее потребление энергии | 5.4 W |
| Внешние условия | |
| Диапазон рабочих температур | 0 - 70 °C |
| Ударная нагрузка в рабочем режиме | 1500 G |
| Ударная нагрузка в нерабочем режиме | 1500 G |
| Максимальная температура при эксплуатации | 70 °C |
| Вибрация в рабочем режиме | 1500 G |
| Минимальная температура эксплуатации | 0 °C |
| Носители хранения данных | |
| 1000 GB | |
| Интерфейс SSD | M.2 |
| Данные об упаковке | |
| Тип упаковки | Коробочная версия |
| Прочие свойства | |
| Цвет товара | Черный |
| Гарантийный срок | 5 лет |
| Свойства | |
| 1 TB | |
| Интерфейс | PCI Express 4.0 |
| Алгоритмы шифрования данных | 256-bit AES |
| Среднее время наработки на отказ | 1500000 h |
| Тип памяти | V-NAND MLC |
| Скорость передачи данных | 32 Gbit/s |
| Error-correcting code (ECC) | ![]() |
| Скорость считывания | 7450 MB/s |
| Скорость записи | 6900 MB/s |
| Поддержка Hot-Plug | ![]() |
| Поддержка S.M.A.R.T. | ![]() |
| Поддержка TRIM | ![]() |
| Случайная запись (4KB) | 1550000 IOPS |
| Случайное чтение (4KB) | 1200000 IOPS |
| Комплектующие для | ПК |
| аппаратное шифрование | ![]() |
| Температура мониторинга SSD | ![]() |
| линии данных интерфейса PCI Express | x4 |
| защита данных End-to-End | ![]() |
| оценка суммарного числа записываемых байтов | 600 |
| форм-фактор тевродотельного диска | M.2 |
| NVMe | ![]() |
| версия NVMe | 2.0 |
| Поддержка DevSlp (device sleep) | ![]() |
| Температурный мониторинг и журналирование | ![]() |
| Внешний кеш DDR | ![]() |
| Количество внешнего кеша DDR | 1024 MB |
| EAN | 8806094215021 |
| Гарантия | 5 года |
Твердотельный накопитель Samsung 990 PRO использует интерфейс PCIe Gen 4.0 x4 с поддержкой протокола NVMe 2.0. Накопитель обеспечивает последовательную скорость чтения до 7450 МБ/с и записи до 6900 МБ/с. Эти показатели производительности подходят для выполнения требовательных вычислительных задач, запуска современных игр и работы с профессиональными мультимедийными приложениями, где требуется минимизация задержек. Диск построен на базе фирменной технологии V-NAND TLC, обеспечивающей высокую плотность данных.
Накопитель выполнен в стандартном форм-факторе M.2 2280, что гарантирует его совместимость с большинством настольных систем и игровых консолей. В конструкции используется фирменный контроллер Samsung с никелированным покрытием, который обеспечивает стабильное управление тепловыми режимами при длительных нагрузках. Заявленный ресурс записи составляет 600 TBW, а среднее время наработки на отказ (MTBF) — 1,5 миллиона часов.
Ключевые особенности:- Емкость 1000 ГБ
- Форм-фактор M.2 2280
- Интерфейс PCIe Gen 4.0 x4
- Максимальная скорость чтения 7450 МБ/с
- Максимальная скорость записи 6900 МБ/с
- Скорость произвольного чтения 1 400 000 IOPS
- Поддержка NVMe версии 2.0
- Наличие аппаратного шифрования AES 256-бит
- Низкое энергопотребление в режиме простоя
Срок доставки: 05.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 05.12 - 08.12
Сегодня: 09:00 - 17:00
Срок доставки: 05.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Срок доставки: 05.12 - 08.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 05.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Время доставки: Сегодня
Время доставки: 06.12 - 10.12
Время доставки: 05.12 - 09.12
Время доставки: 06.12 - 10.12
Время доставки: 06.12 - 09.12
Время доставки: 05.12 - 10.12
Время доставки: 05.12 - 10.12
Время доставки: 06.12 - 09.12


