Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| Тип устройства | SSD |
| Диск | |
| 1000 GB | |
| Вес и размеры | |
| Вес | 28 g |
| Высота | 24,3 mm |
| Ширина | 80 mm |
| Глубина | 8,2 mm |
| Энергопитание | |
| Рабочее напряжение | 3.3 V |
| Потребление мощности (холостой ход) | 0,05 W |
| Максимальное потребление энергии | 7,8 W |
| Среднее потребление энергии | 5.4 W |
| Внешние условия | |
| Диапазон рабочих температур | 0 - 70 °C |
| Ударная нагрузка в рабочем режиме | 1500 G |
| Ударная нагрузка в нерабочем режиме | 1500 G |
| Носители хранения данных | |
| Интерфейс SSD | M.2 |
| Прочие свойства | |
| Цвет товара | Черный |
| Тип охлаждения | Heatsink |
| Характеристики | |
| Тип | Heatsink |
| Свойства | |
| 2280 (22 x 80 mm) | |
| Интерфейс | PCI Express 4.0 |
| Алгоритмы шифрования данных | 256-bit AES |
| Среднее время наработки на отказ | 1500000 h |
| Тип памяти | V-NAND MLC |
| Скорость передачи данных | 4 Gbit/s |
| Error-correcting code (ECC) | ![]() |
| Скорость считывания | 7450 MB/s |
| Скорость записи | 6900 MB/s |
| Поддержка Hot-Plug | ![]() |
| Поддержка S.M.A.R.T. | ![]() |
| Поддержка TRIM | ![]() |
| Случайная запись (4KB) | 1550000 IOPS |
| Случайное чтение (4KB) | 1200000 IOPS |
| Комплектующие для | ПК |
| Улучшенная технология Защиты Данных при Потере Питания | ![]() |
| аппаратное шифрование | ![]() |
| Температура мониторинга SSD | ![]() |
| линии данных интерфейса PCI Express | x4 |
| защита данных End-to-End | ![]() |
| оценка суммарного числа записываемых байтов | 600 |
| форм-фактор тевродотельного диска | M.2 |
| NVMe | ![]() |
| версия NVMe | 2.0 |
| Поддержка DevSlp (device sleep) | ![]() |
| Температурный мониторинг и журналирование | ![]() |
| EAN | 8806094594645 |
| Гарантия | 5 года |
Samsung 990 PRO ёмкостью 1 ТБ представляет собой внутренний твердотельный накопитель, разработанный для обеспечения максимальной производительности на платформе PCIe Gen 4.0 x4. Устройство использует технологию V-NAND TLC и проприетарный контроллер Samsung, обеспечивающий стабильную работу. Накопитель демонстрирует высокую скорость последовательного чтения до 7450 МБ/с и последовательной записи до 6900 МБ/с, что соответствует требованиям профессиональных рабочих станций и высокопроизводительных игровых систем.
Встроенный радиатор (heatsink) обеспечивает эффективное пассивное рассеивание тепла, необходимое для поддержания стабильности IOPS и предотвращения термического троттлинга при длительной нагрузке. Этот механизм критически важен для пользователей, занимающихся рендерингом, анализом больших данных или продолжительными игровыми сессиями. Накопитель выполнен в форм-факторе M.2 2280 и предназначен для установки в совместимые настольные ПК, высококлассные ноутбуки и игровые консоли, включая PlayStation 5. Среднее время наработки на отказ (MTBF) составляет 1,5 миллиона часов.
Устройство поддерживает аппаратное шифрование, используя стандарты AES 256-бит и TCG/Opal IEEE1667, что обеспечивает защиту данных без снижения скорости. Общий ресурс записи (TBW) составляет 600, что гарантирует высокий уровень долговечности при интенсивной ежедневной эксплуатации.
Ключевые особенности:- Ёмкость 1000 ГБ
- Интерфейс PCIe Gen 4.0 x4
- Форм-фактор M.2 2280
- Тип флэш-памяти V-NAND TLC
- Максимальная скорость чтения 7450 МБ/с
- Встроенная система охлаждения в виде радиатора
- Ресурс записи (TBW) 600
- Поддержка NVMe версии 2.0
- Аппаратное шифрование AES 256-бит
- Ударопрочность 1500 G
Срок доставки: 16.12 - 22.12
Сегодня: Закрыт (День независимости)
Срок доставки: 16.12 - 22.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 16.12 - 22.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 16.12 - 22.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 16.12 - 22.12
Сегодня: Закрыт (День независимости)
Время доставки: 16.12 - 22.12
Время доставки: 17.12 - 22.12
Время доставки: 16.12 - 21.12
Время доставки: 17.12 - 22.12
Время доставки: 17.12 - 21.12
Время доставки: 16.12 - 22.12
Время доставки: 16.12 - 22.12
Время доставки: 17.12 - 21.12


