Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| Тип устройства | Твердотельный накопитель (SSD) |
| Вес и размеры | |
| Вес | 30 g |
| Высота | 25 mm |
| Ширина | 80,2 mm |
| Глубина | 8,88 mm |
| Энергопитание | |
| Рабочее напряжение | 3.3 V |
| Потребление мощности (холостой ход) | 4,8 W |
| Максимальное потребление энергии | 8 W |
| Среднее энергопотребление (чтение) | 8,1 W |
| Среднее энергопотребление (запись) | 7,9 W |
| Внешние условия | |
| Диапазон рабочих температур | 0 - 70 °C |
| Ударная нагрузка в рабочем режиме | 1500 G |
| Данные об упаковке | |
| Тип упаковки | Коробочная версия |
| Прочие свойства | |
| Цвет товара | Черный |
| Тип охлаждения | Радиатор |
| Гарантийный срок | 5 лет |
| Свойства | |
| 2280 (22 x 80 mm) | |
| Интерфейс | PCI Express 5.0 |
| Алгоритмы шифрования данных | 256-bit AES |
| Среднее время наработки на отказ | 1500000 h |
| Тип памяти | V-NAND TLC |
| Скорость считывания | 14700 MB/s |
| Скорость записи | 13400 MB/s |
| Поддержка S.M.A.R.T. | ![]() |
| Поддержка TRIM | ![]() |
| Случайная запись (4KB) | 2600000 IOPS |
| Случайное чтение (4KB) | 1850000 IOPS |
| Комплектующие для | PC/Game console |
| Литография | 5 nm |
| аппаратное шифрование | ![]() |
| Температура мониторинга SSD | ![]() |
| линии данных интерфейса PCI Express | x4 |
| защита данных End-to-End | ![]() |
| оценка суммарного числа записываемых байтов | 1200 |
| форм-фактор тевродотельного диска | M.2 |
| NVMe | ![]() |
| версия NVMe | 2.0 |
| Поддержка DevSlp (device sleep) | ![]() |
| Температурный мониторинг и журналирование | ![]() |
| EAN | 8806095811666 |
| Гарантия | 2 лет |
Samsung 9100 PRO представляет собой внутренний твердотельный накопитель высокой производительности, разработанный для требовательных настольных систем, рабочих станций и игровых консолей. Устройство использует современный интерфейс PCIe 5.0 с четырьмя линиями передачи данных и протокол NVMe 2.0. Это сочетание обеспечивает последовательную скорость чтения до 14 700 МБ/с и записи до 13 400 МБ/с, что критически важно для обработки больших объемов данных и снижения времени загрузки.
Модель выполнена в форм-факторе M.2 2280 и оснащена интегрированным радиатором, который необходим для эффективного теплоотвода при максимальных нагрузках. Встроенная технология Dynamic Thermal Guard помогает поддерживать стабильную производительность путем активного управления температурой. Накопитель использует собственную TLC V-NAND память Samsung, обеспечивая высокий ресурс записи до 1200 TBW.
Для обеспечения целостности данных модель поддерживает аппаратное шифрование AES 256-bit и защиту данных на всём пути прохождения. Устройство также демонстрирует высокую устойчивость к механическим воздействиям, выдерживая удары до 1500 G.
Ключевые особенности:- Емкость 2 ТБ
- Интерфейс PCIe 5.0 x4
- Форм-фактор M.2 2280
- Скорость последовательного чтения до 14 700 МБ/с
- Скорость произвольной записи до 2 600 000 IOPS
- Оснащен интегрированным радиатором
- Ресурс записи 1200 TBW
- Среднее время наработки на отказ 1 500 000 часов
- Поддержка аппаратного шифрования AES 256-bit
Срок доставки: 24.12 - 26.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 24.12 - 26.12
Сегодня: 09:00 - 17:00
Срок доставки: 24.12 - 26.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Срок доставки: 24.12 - 26.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 24.12 - 26.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Время доставки: 24.12 - 26.12
Время доставки: 25.12 - 26.12
Время доставки: 24.12 - 25.12
Время доставки: 25.12 - 26.12
Время доставки: 25.12
Время доставки: 24.12 - 26.12
Время доставки: 24.12 - 26.12
Время доставки: 25.12

