Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| Тип устройства | SSD |
| Вес и размеры | |
| Вес | 9 g |
| Высота | 22,1 mm |
| Ширина | 80,2 mm |
| Глубина | 2,38 mm |
| Энергопитание | |
| Рабочее напряжение | 3,3 V |
| Максимальное потребление энергии | 9 W |
| Среднее потребление энергии | 9 W |
| Среднее энергопотребление (чтение) | 9 W |
| Среднее энергопотребление (запись) | 8,2 W |
| Внешние условия | |
| Диапазон рабочих температур | 0 - 70 °C |
| Ударная нагрузка в рабочем режиме | 1500 G |
| Данные об упаковке | |
| Тип упаковки | Коробочная версия |
| Прочие свойства | |
| Гарантийный срок | 5 лет |
| Свойства | |
| 2280 (22 x 80 mm) | |
| Интерфейс | PCI Express 5.0 |
| Алгоритмы шифрования данных | 256-bit AES |
| Среднее время наработки на отказ | 1500000 h |
| Тип памяти | V-NAND TLC |
| Скорость передачи данных | 5 Gbit/s |
| Error-correcting code (ECC) | ![]() |
| Скорость считывания | 14800 MB/s |
| Скорость записи | 13400 MB/s |
| Поддержка Hot-Plug | ![]() |
| Поддержка S.M.A.R.T. | ![]() |
| Поддержка TRIM | ![]() |
| Случайная запись (4KB) | 2600000 IOPS |
| Случайное чтение (4KB) | 2200000 IOPS |
| Комплектующие для | PC/Game console |
| Литография | 5 nm |
| Улучшенная технология Защиты Данных при Потере Питания | ![]() |
| аппаратное шифрование | ![]() |
| Температура мониторинга SSD | ![]() |
| линии данных интерфейса PCI Express | x4 |
| защита данных End-to-End | ![]() |
| оценка суммарного числа записываемых байтов | 2400 |
| форм-фактор тевродотельного диска | M.2 |
| Сегмент рынка | Потребитель |
| NVMe | ![]() |
| версия NVMe | 2.0 |
| Поддержка DevSlp (device sleep) | ![]() |
| Температурный мониторинг и журналирование | ![]() |
| EAN | 8806095811703 |
| Гарантия | 2 лет |
Samsung 9100 PRO — это внутренний твердотельный накопитель, предназначенный для систем с экстремально высокой вычислительной нагрузкой, включая профессиональные рабочие станции и игровые ПК высшего сегмента. Накопитель использует передовой интерфейс PCIe 5.0 x4 и протокол NVMe 2.0, что обеспечивает значительное увеличение пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14800 МБ/с, а скорость записи составляет 13400 МБ/с.
Устройство объёмом 4 ТБ выполнено в стандартном форм-факторе M.2 2280, совместимом с большинством современных материнских плат, поддерживающих стандарт PCIe Gen5. Модель обеспечивает высокую производительность в операциях случайного доступа, достигая 2,2 миллиона IOPS при чтении и 2,6 миллиона IOPS при записи. Надежность системы поддерживается средним временем наработки на отказ 1.5 миллиона часов и ресурсом записи в 2400 TBW, что соответствует требованиям интенсивной ежедневной эксплуатации.
Для обеспечения целостности данных используется технология ECC и поддержка аппаратного шифрования AES 256-бит, соответствующего стандартам TCG Opal. Контроллер Samsung собственной разработки в сочетании с V-NAND TLC памятью обеспечивает эффективное управление тепловым режимом и питанием, что критически важно для высокоскоростных накопителей. Устройство имеет низкое энергопотребление в режиме простоя, поддерживая функцию DEVSLP.
Ключевые особенности:- Емкость 4000 ГБ
- Интерфейс PCIe 5.0 x4
- Протокол NVMe 2.0
- Форм-фактор M.2 2280
- Скорость последовательного чтения до 14800 МБ/с
- Скорость последовательной записи до 13400 МБ/с
- Ресурс записи 2400 TBW
- Среднее время наработки на отказ 1,5 миллиона часов
- Поддержка аппаратного шифрования AES 256-бит
Срок доставки: 22.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 22.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 22.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 22.12
Сегодня: Закрыт
Срок доставки: 22.12
Сегодня: Закрыт
Время доставки: 22.12
Время доставки: 23.12
Время доставки: 22.12
Время доставки: 23.12
Время доставки: 23.12
Время доставки: 22.12
Время доставки: 22.12
Время доставки: 23.12


