Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| RoHS | |
| Память | |
| экстремальный профиль памяти Intel | ![]() |
| Внешние условия | |
| Диапазон рабочих температур | -40 - 85 °C |
| Прочие свойства | |
| Количество контактов | 260 |
| Свойства | |
| Тип внутренней памяти | DDR4 |
| Error-correcting code (ECC) | ![]() |
| Конфигурация модуля | 1024M x 8 |
| Время задержки CAS | 22 |
| Тактовая частота памяти | 3200 MHz |
| Напряжение памяти | 1.2 V |
| Cоответствие RoHS | ![]() |
| Форм-фактор памяти | 260-pin SO-DIMM |
| Рейтинг памяти | 2 |
| Комплектующие для | Ноутбук |
| Оперативная память | 8 GB |
| Конфигурация памяти (модули х емкость) | 1 x 8 GB |
| Скорость передачи данных памяти | 3200 MT/s |
| Тип буферной памяти | Unregistered (unbuffered) |
| EAN | 0760557849124 |
Модуль памяти Transcend TS1GSH64V2B3 представляет собой решение стандарта DDR4 объемом 8 ГБ, разработанное для установки в ноутбуки и специализированные встраиваемые системы. Он функционирует на частоте 3200 МГц, обеспечивая достаточную пропускную способность для выполнения повседневных и рабочих задач. Конструкция включает контактные площадки с золотым покрытием толщиной 30 мкд, что повышает надежность электрического соединения и устойчивость к коррозии. Данный модуль является небуферизованным и соответствует отраслевым стандартам JEDEC, что гарантирует его совместимость с широким спектром материнских плат.
Этот модуль выполнен в стандартном форм-факторе SO-DIMM с 260 контактами для установки в соответствующие слоты памяти. Рабочее напряжение составляет 1.2 В, что является стандартом для памяти DDR4 и способствует энергоэффективности системы, особенно в портативных устройствах. Задержка CAS Latency (CL) равна 22, что является базовым показателем для модулей данного класса. Отсутствие предустановленного радиатора делает его подходящим для установки в компактные корпуса с ограниченным пространством для компонентов.
Ключевые особенности:- Объем памяти 8 ГБ
- Тип памяти DDR4
- Форм-фактор SO-DIMM
- Тактовая частота 3200 МГц
- Задержка CAS CL22
- Напряжение питания 1.2 В
- Конфигурация модулей 1 x 8 ГБ
- Тип буферизации Небуферизованная
- Количество контактов 260
Срок доставки: 28.11 - 01.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 28.11 - 01.12
Сегодня: 09:00 - 17:00
Срок доставки: 28.11 - 01.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Срок доставки: 28.11 - 01.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 28.11 - 01.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Время доставки: 28.11 - 01.12
Время доставки: 29.11 - 01.12
Время доставки: 28.11 - 30.11
Время доставки: 29.11 - 01.12
Время доставки: 29.11 - 30.11
Время доставки: 29.11 - 30.11
- leaflet (English)


