Produkten har utgått från sortimentet eller är inte tillgänglig för tillfället.
| Strömtillförsel | |
| Driftspänning | 3.3 V |
| Strömförbrukning (max) | 3,3 W |
| Övriga egenskaper | |
| Sekventiell skrivning | 1700 MB/s |
| Sekventiell läsning | 2100 MB/s |
| Egenskaper | |
| ECC | ![]() |
| Stöd för hot-plug | ![]() |
| Stöd för S.M.A.R.T. | ![]() |
| TRIM-stöd | ![]() |
| Förbättrad effekt Loss Data Protection-teknik | ![]() |
| Hårdvarukryptering | ![]() |
| SSD temperaturövervakning | ![]() |
| End-to-End-dataskydd | ![]() |
| Marknadssegment | Konsument |
| Sekventiell läshastighet (ATTO) | 2100 MB/s |
| Sekventiell skrivhastighet (ATTO) | 1700 MB/s |
| Stöd för DevSlp (device sleep) | ![]() |
| Temperaturövervakning och loggning | ![]() |
| EAN | 0740617316841 |
| Garanti | 1 år |
Kingston NV1 500 GB är en intern SSD-enhet som använder M.2 2280-formfaktorn för att passa i moderna bärbara datorer och stationära system med begränsat utrymme. Enheten kommunicerar via NVMe PCIe Gen 3.0 x4-gränssnittet, vilket möjliggör snabbare dataöverföringshastigheter jämfört med äldre SATA-baserade tekniker. Den ensidiga designen gör komponenten fysiskt kompakt med en tjocklek på endast 2,1 mm och en totalvikt på 7 gram. Denna lagringslösning är framtagen för att effektivisera systemstarter och filhantering i vardagliga datorapplikationer för konsumenter.
Hårdvaran levererar sekventiella läshastigheter på upp till 2100 MB/s och skrivhastigheter på upp till 1700 MB/s för att hantera stora datamängder effektivt. Tekniken bygger på QLC NAND-flashminne och stöder NVMe 1.3-protokollet, vilket minskar latensen och förbättrar den generella responsiviteten vid multitasking och tung programkörning. Enheten har en fastställd uthållighet på 120 TBW (Total Bytes Written) och stödjer SMART-övervakning samt TRIM-kommandon för att bibehålla prestanda över tid. Med en genomsnittlig strömförbrukning på 0,205 W är komponenten optimerad för både energieffektivitet och minimal värmeutveckling.
Nyckelfunktioner:- Lagringskapacitet på 500 GB
- Kompakt M.2 2280 formfaktor
- Gränssnitt via NVMe PCIe Gen 3.0 x4
- Sekventiell läshastighet upp till 2100 MB/s
- Sekventiell skrivhastighet upp till 1700 MB/s
- Baserad på QLC NAND-teknik
- Hållbarhet på 120 TBW
- Stöd för TRIM och SMART-teknik
- Låg profil med en höjd på 2,1 mm
- Integrerad ECC-felkorrigering
Beräknad leverans: Ingen leverans information
Idag: 10:00 - 18:00
Beräknad leverans: Ingen leverans information
Idag: 09:00 - 17:00
Beräknad leverans: Ingen leverans information
Idag: 10:00 - 17:00
Beräknad leverans: Ingen leverans information
Idag: 10:00 - 18:00
Beräknad leverans: Ingen leverans information
Idag: 10:00 - 17:00
Beräknad leveranstid: Ingen leverans information
Beräknad leveranstid: Ingen leverans information
Beräknad leveranstid: Ingen leverans information
Beräknad leveranstid: Ingen leverans information
Beräknad leveranstid: Ingen leverans information
Beräknad leveranstid: Ingen leverans information
Beräknad leveranstid: Ingen leverans information
Beräknad leveranstid: Ingen leverans information
- leaflet (English)


