Tärkeimmät tekniset tiedot
Valitse yksi tai useampi ominaisuus etsiäksesi tuotteita, joilla on samat tekniset tiedot.| Tekniset tiedot | |
| Laitteen tyyppi | SSD |
| Paino ja mitat | |
| Paino | 9 g |
| Tuotteen korkeus | 22,1 mm |
| Tuotteen leveys | 80,2 mm |
| Tuotteen syvyys | 2,38 mm |
| Virranhallinta | |
| Käyttöjännite | 3.3 V |
| Virrankulutus (lepotila) | 0,06 W |
| Tehonkulutus (maks.) | 4,2 W |
| Tehonkulutus (keskimääräinen) | 4,2 W |
| Keskimääräinen virrankulutus (luku) | 4,2 W |
| Ympäristöolosuhteet | |
| Käyttölämpötila (T-T) | 0 - 70 °C |
| Iskunkestävyys käytön aikana | 1500 G |
| Iskunkestävyys toimimattomana | 1500 G |
| Muut ominaisuudet | |
| Tuotteen väri | musta |
| Ominaisuudet | |
| Levyn kapasiteetti | 2000 GB |
| Käyttöliittymä | PCI Express 4.0 |
| Tietoturva-algoritmit | 256-bit AES |
| Keskimääräinen vikaantumisaika | 1500000 h |
| Muistityyppi | V-NAND TLC |
| Tiedonsiirtonopeus | 64 Gbit/s |
| ECC | ![]() |
| Lukunopeus | 7150 MB/s |
| Kirjoitusnopeus | 6300 MB/s |
| Käytönaikaisen vaihdon tuki | ![]() |
| S.M.A.R.T. tuki | ![]() |
| TRIM-tuki | ![]() |
| Random write (4KB) | 1350000 IOPS |
| Random read (4KB) | 850000 IOPS |
| Komponentti (tuotteelle) | PC |
| Enhanced Power Loss Data Protection-tekniikka | ![]() |
| Random write (100% alueesta) | 1350000 IOPS |
| Random Read (100% alueesta) | 1000000 IOPS |
| Laitteistosalaus | ![]() |
| SSD lämpötilan valvonta | ![]() |
| End-to-End Data-suojaus | ![]() |
| TBW-taso | 1200 |
| SSD-malli | M.2 |
| NVMe | ![]() |
| NVMe -versio | 2.0 |
| DevSlp (laite lepotilassa) -tuki | ![]() |
![]() | |
| M.2 SSD:n koko | 2280 (22 x 80 mm) |
| EAN | 8806095575650 |
| Takuu | 5 vuotta |
Samsung 990 EVO Plus SSD on M.2 2280 -muotoon rakennettu sisäinen tallennusmoduuli. Se hyödyntää PCIe 4.0 x4 -rajapintaa ja tukee järjestelmästä riippuen myös PCIe 5.0 x2 -liitäntää, mikä tarjoaa joustavuutta erilaisissa kokoonpanoissa. Tämä asema saavuttaa jopa 7250 MB/s jatkuvan lukunopeuden ja 6300 MB/s jatkuvan kirjoitusnopeuden, mikä soveltuu intensiivisiin luku- ja kirjoitustehtäviin. Suorituskyky on optimoitu Samsungin omalla ohjaimella ja V-NAND TLC -muistiteknologialla.
Tämä 2 teratavun kapasiteetin asema on suunnattu tehokäyttäjille ja pelaajille, jotka tarvitsevat nopeita käynnistysaikoja ja ripeää tiedonsiirtoa kuormituksen alaisena. Asema sisältää laitetason AES 256-bit salauksen (TCG/Opal IEEE1667) tietojen suojaamiseksi. Energiatehokkuutta parantaa DEVSLP-tuki, joka pitää virrankulutuksen alhaisena levon aikana. M.2 2280 -muoto takaa laajan yhteensopivuuden modernien pöytäkoneiden ja kannettavien tietokoneiden kanssa.
Aseman arvioitu kestävyys on 1200 TBW, mikä indikoi sen soveltuvuutta pitkäaikaiseen käyttöön vaativissa ympäristöissä. Sen Mean Time Between Failures (MTBF) on ilmoitettu olevan 1,5 miljoonaa tuntia, mikä korostaa komponentin operatiivista luotettavuutta. Asema on suunniteltu kestämään jopa 1500 G:n iskun, mikä lisää sen fyysistä kestävyyttä.
Tärkeimmät ominaisuudet:- Tallennuskapasiteetti: 2 teratavua
- Muotokerroin: M.2 2280
- Liitäntä: PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 NVMe 2.0
- Jatkuva lukunopeus: 7250 MB/s
- Jatkuva kirjoitusnopeus: 6300 MB/s
- Kestävyysluokitus (TBW): 1200
- Satunnainen lukuteho (IOPS): 1 000 000
- Laitetason salaus: AES 256-bit (TCG/Opal)
- Virrankulutus lepotilassa: 0.06 W
Arvioitu toimitus: Tänään
Tänään: 10:00 - 18:00
Arvioitu toimitus: 05.12.
Tänään: 09:00 - 17:00
Arvioitu toimitus: 05.12. - 08.12.
Tänään: 10:00 - 17:00
Arvioitu toimitus: 05.12. - 08.12.
Tänään: 10:00 - 18:00
Arvioitu toimitus: Tänään
Tänään: 10:00 - 18:00
Arvioitu toimitusaika: Tänään
Arvioitu toimitusaika: 06.12. - 10.12.
Arvioitu toimitusaika: 05.12. - 09.12.
Arvioitu toimitusaika: 06.12. - 10.12.
Arvioitu toimitusaika: 06.12. - 09.12.
Arvioitu toimitusaika: 05.12. - 10.12.
Arvioitu toimitusaika: 05.12. - 10.12.
Arvioitu toimitusaika: 06.12. - 09.12.


