Samsung 8 GB (1 x 8 GB) DDR5 4800 MHz, CL40 minne

Samsung M425R1GB4BB0-CQK är en minnesmodul utformad för bärbara datorer och kompakta system som kräver SO-DIMM-formatet. Denna enskilda 8 GB-modul använder DDR5-teknik och arbetar med en hastighet på 4800 MHz, vilket ger högre dataöverföringshastigheter och effektivitet jämfört med föregående DDR4-standard. Den ökade bandbredden är avsedd att förbättra systemets respons vid multitasking och hantering av vardagliga applikationer. Modulen följer JEDEC-standarder för att säkerställa bred kompatibilitet med stödjande plattformar.

Modulen använder en 262-pins kontakt och opererar vid en standardspänning på 1.1 V, vilket bidrar till lägre strömförbrukning och därmed en minskad värmeutveckling. Detta är en viktig egenskap för batteridrivna enheter som bärbara datorer. För att upprätthålla dataintegritet och systemstabilitet under drift är den utrustad med On-Die ECC (Error-Correcting Code). Denna inbyggda felkorrigering är en fundamental del av DDR5-arkitekturen och hjälper till att minimera datafel.

• Erbjuder 8 GB minneskapacitet
• Använder DDR5-minnesteknik
• Opererar med en hastighet på 4800 MHz
• Har en CAS-latens på 40
• Drivs med en låg spänning på 1.1 V
• Utformad i SO-DIMM-format med 262 pins
• Utrustad med On-Die ECC för ökad stabilitet
• Konstruerad som ett obuffrat minne
• Följer industriell JEDEC-standard